GaAsFET相关论文
本文提出了快速评价GaAs FET可靠性寿命的一种新方法.利用GaAs FET失效敏感参数的温度特性和在一定电应力下的退化特性,在线快速提......
大功率GaAsFET放大器可以连续波工作,但在脉冲雷达中,大功率GaAsFET放大器都工作在脉冲状态,由此,必须观注大功率GaAsFET放大器在......
电源电压＋３．３ＶＧａＡｓＦＥＴ放大ＩＣ据《日经工》１９９４年第６０１期报道，日本三菱电机公司已研制成电源电压＋３．３Ｖ，饱和输出３１．８ｄＢｍ（约１．５Ｗ）的ＵＨＦ频段的放大ＩＣ，用于移动通信的移动电台。输入信号......
图1所示电路由一个锂离子电池,或一个由4个镍镉电池组成的电池组来供电。它可以给LCD(液晶显示器)提供-6V的偏置电压,并给砷化镓......
据日本《电子技术》1998年第3期报道，日本村田制作所采用GaAs半导体衬底，制作了毫米波工作频率的场效应管。器件采用了该公司独特的G......
功率GaAs FET系列MGF0951/2P从手机频段到U—NII(5.75～5.825 GHz)频段有优异的线性性能,面积为4.5mm×3.4mm,也可提供低成本的塑料......
期刊
东芝美洲电子元器件公司新添了两款用于卫星通信的高线性、高输出功率内匹配Ku波段功率GaAsFET。上述两款中的9 W Toshiba FIM1414......
基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路......
日本三菱电机公司正在研究X波段的功率GaAsFET的内部阻抗匹配问题。由于输入集总匹配网络和栅电极间的长距离使倒装器件的内匹配......
对于GaAs场效应晶体管来说,虽然栅长为1.5微米是够长的了,但仍能试制出电路延迟时间为50微微秒(功耗为5.7毫瓦/门)的GaAs场效应晶......
据报导三菱电机的MGF-1403型是频率为12千兆赫,最低噪声系数NF_(min)为1.8分贝,功率增益高达10.5分贝的低噪声GaAsFET.同样频率下......
一、引言应用离子注入制造高频 GaAs 器件正在一些实验室进行。有源层固有的均匀性和重复性,通过分布修正来改善器件性能的潜力以......
日本电气公司不久前报导了一种用于小信号放大和振荡的X波段GaAsFETNE24406。此种器件在8.5千兆赫下,噪声系数为2.7分贝;6千兆赫......
据报导,日本NEC公司开始出售两种高性能的超低噪声GaAsFET,型号为2SK406、407,作为大量生产的GaAsFET来说,其截止频率是世界上最......
本放大器是为卫星通讯地面站研制的,用来作为前置低噪声放大。本文简述了 GaAsFET的结构和小信号等效电路,噪声模型分析,以及散射......
自1974年Liechti等人提出GaAsMESFET超高速逻辑电路以来,国外相继提出了GaAsMESFET缓冲型场效应管逻辑(BFL)、肖特基势垒二极管场......
本文介绍已用于卫星通信地面接收小站,取代常温参放作为前置低噪声放大器的4GHz低噪声AaAsFET放大器的研制情况。文中分析FET放大......
多倍频程场效应晶体管(FET)放大器的集总元件阻抗匹配网络已研制成。这种集总元件是以平行极板电容和高阻抗线蚀刻在两块10密耳厚......
采用离子注入形成沟道层和n~+欧姆接触区的技术,研制了大功率GaAsFET。由于引入了表面载流子浓度高的n~+区,器件的烧毁特性得到了......
三菱电机采用独特的WSi/Ti/Au三层低阻栅和LDD(低掺杂漏)结构以及优化的离子注入条件,使GaAsFET的性能得到很大的提高:在12GHz下,......
本文评述了超高速GaAs FET及其LSI的发展概况。从应用与需求、GaAs的物理优势、技术进步现状三个方面分析了这种器件迅速发展的原......
我们描述了异质结二维电子气 FET 单级单片电路放大器的制作。同样的电路结构已经在传统的 GaAsFET 片子上实现,因此可以对两种材......
本文介绍的S波段低噪声场效应管放大器组件,用于代替原雷达机上的参量放大器和行波管放大器。它由无源波导限幅器、VLF—2场效应管......
贯穿晶片的穿孔连接可以为GaAs FET提供低阻抗接触,从而明显地改进器件的特性。本文描述了在低压SiCl_4/Cl_2混合气体中简单的厚层......
一种采用介质谐振器的高稳定X波段GaAsFET振荡器已经研制出来。这种振荡器的频率稳定度低于±1MHz(-40℃～85℃),其外形尺寸大大地缩......
本文叙述了微波晶体管振荡器的计算机辅助设计方法。该方法利用微波晶体管的负阻特性,考虑了在点频及宽带时几种反馈电路形式,并以......
低噪声接收机系统的性能因受连接接收机和天线的传输线噪声影响而降低。因此,接收机的性能在一定程度上受射频放大器频带内天线阻......
东京芝浦电气成功地研制了在 GaAs 基板上形成 P—N 结的选择离子注入技术,这种在同一接头上形成门电路保护二极管的完整单片结构......
研制了5.3～5.9GHzGaAsFET低噪声集成放大器。小批量生产后达到的指标是:典型值:增益=22dB;噪声系数......
研制出一种20GHz频段单片砷化镓场效应低噪声放大器。通过得到在半绝缘砷化镓衬底上的微带线传输特性来完成设计和制造。研制的羊......
在高介电常数的衬底材料上使用分布传输线技术,成功地研究和制作了4800μm(四个1200μm单胞)GaAs场效应晶体管放大器的输入和输出......
研究了C波段大功率砷化镓场效应晶体管的宽带内匹配技术,结果在电路设计中采用了新型的电路结构和大信号特性。在高介电常数的单瓷......
ＧａＡｓＦＥＴ的散射参数与工作状态有关，采用散射参数不能直接求出混频增益。本文介绍一种ＧａＡｓＦＥＴ的混频参数的计算方法。由散射参数求得混频参数。从而......
本文介绍了ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ的中子辐射效应。依据中子辐射损伤机理，分析了器件参数与中子辐射剂量Φ的依从关系，其中，器件参数包括物理参数ＮＤ、ＮＳ、ＶＳ，μ......
本文评述了功率GaA sFET向毫米波段开拓的背景;预测了在毫米波段功率GaA sFET的微波性能;介绍了目前功率GaAsFET在准毫米波段的典......
本文从设计理上系统地推导和分析了共源、共栅和共漏组态下的GaAsFET振荡频率,并研究了温漂和时漂等问题,理论能较好地解释实验结......
本文叙述了采用单变容管调谐的4～8GHz共漏反沟道GaAs FET VCO的设计和研究结果。振荡器的直接输出功率大于16.5dBm,功率平坦度为......
本文叙述了采用静态法模拟GaAs FET大信号模型和以该大信号模型设计宽带GaAsFRT功率放大器的方法.在分析电路时,提出了一种对非线......
任何合有有源器件的微波放大电路在一定情况下都会表现出非线性特性，同时GaAsFET自身存在的内部反馈和电路元器件的电磁辐射可能会......
任何合有有源器件的微波放大电路在一定情况下都会表现出非线性特性，同时GaAsFET自身存在的内部反馈和电路元器件的电磁辐射可能会......
本文报道了一种采用串、并联ＦＥＴｓ结构的ＧａＡｓＭＭＩＣ单刀双掷开关。芯片尺寸为０．９７＊１．２３ｍｍ．在ＤＣ－１０ＧＨＺ频率范围内，插入损耗小于２．２ｄＢ，隔离度大于３２ｄＢ，反射损耗大于１２ｄＢ，并关时间小于１ｎｓ，在５ＧＨＺ下的......
叙述了PECVD SiN的制备、性能及其在GaAs场效应器件中的应用。第一部分叙述PECVD SiN的一般概念、设备及淀积条件,阐明其键结构以......
